Unterschiede

Hier werden die Unterschiede zwischen zwei Versionen angezeigt.

--- flash-speicher [2012/09/03 12:13] – [Wie Sie gewinnen] Dirk Krause
+++ flash-speicher [2024/08/07 11:34] (aktuell) – Externe Bearbeitung 127.0.0.1
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   * Die kleinste ansprechbare Einheit beim Lesen/Schreiben ist eine "Page", nicht ein Sektor. FLASH-Speicher aus den Jahren 2007-2008 verwenden eine Page-Größe von 2K mit Übergang zu 4K um 2009 bzw.  16K um 2011.
-  * Eine Page kann nicht einfach überschrieben werden, sie muss zuvor gelöscht werden (andernfalls wäre der neue Inahlt eine Oder-Verknüpfung von altem Inhalt und neu geschriebenen Daten).
+  * Eine Page kann nicht einfach überschrieben werden, sie muss zuvor gelöscht werden (andernfalls wäre der neue Inahlt eine Verknüpfung von altem Inhalt und neu geschriebenen Daten).
   * Es kann aber nicht eine einzelne Page gelöscht bzw. geschrieben werden, Löschen und Schreiben ist nur für "Erase Blocks" - also ganze Folgen fortlaufender Pages - möglich. Ein typischer Wert sind 64 aufeinanderfolgende Pages, bzw. eine Erase-Block-Größe von 128 oder 256kB.
   * Nach dem Löschen des Erase-Blocks können die Pages nicht in beliebiger Reihenfolge geschrieben werden sondern nur in sequentieller Reihenfolge beginnend mit der ersten Page.
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 NAND FLASH unterscheidet sich fundamental von Festplatten. Da die IT-Branche aber seit Jahrzehnten Festplatten benutzt, gab es einen großen Druck, FLASH-Speicher wie Festplatten anzusprechen. FLASH-Speicher "verstecken" das FLASH-Verhalten. Ein Microcontroller sorgt dafür, dass sich der FLASH-Speicher nach außen wie eine Festplatte verhält. Die Software wird häufig als "Flash Translation Layer" (FTL) oder "Flash Abstraction Layer" bezeichnet. Die bei Festplatten häufig vorkommende Operation, einen 512-Bytes-Sektor zu speichern, kann bei FLASH-Speichern mehrere Operationen erfordern, die mit weit mehr als 512 Bytes im FLASH hantieren. Um den Verschleiß zu reduzieren, muss die FTL-Software Daten zwischenspeichern, um die Anzahl der Löschzyklen zu reduzieren.
+Eine weitere Aufgabe der FTL ist es, Erase-Blöcke, die bereits oft geschrieben wurden, auszusortieren (d.h. diese Erase-Blöcke werden nicht mehr zum weiteren Abspeichern benutzt, die Datenträger-Kapazität verringert sich).
 Egal wie gut die FTL-Software ist, bestimmte Zugriffsmuster erfordern Mehrarbeit "im Innern". Wenn das Partitions- und Dateisystemlayout solche schlechten Zugriffsmuster vermehrt auftreten lässt, leiden die Performance und Zuverlässigkeit des NAND-FLASHES darunter. Im Gegenzug sorgt ein günstiges Layout für höhere Performance und geringeren Verschleiß.
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   * Wenn die Allokationsdaten an einer NAND-FLASH Page-Grenze beginnen, sinkt die Wahrscheinlichkeit, dass ein Schreibzugriff auf Allokationsdaten sich über zwei Pages erstreckt.
   * Wenn die Clustergröße ein Zweierpotenz-Vielfaches der NAND-FLASH Page-Größe ist und der erste Cluster an einer Erase-Block-Grenze liegt, vereinfacht dies auch das Schreiben der Speicher-Cluster.
-  * Da der Verschleiß durch Löschzyklen beim Überschreiben von Daten immer ganze Erase-Blöcke betrifft, sollten Nur-Lese-Daten nicht gemeinsam mit Schreib-Lese-Daten in einem Erase-Block untergebracht werden.
+  * Da der Verschleiß durch Löschzyklen beim Überschreiben von Daten immer ganze Erase-Blöcke betrifft, sollten Nur-Lese-Daten - insbesondere Partitionstabelle und Signature (BPB bzw. super block) - nicht gemeinsam mit Schreib-Lese-Daten in einem Erase-Block untergebracht werden.
 ===== Original-Formatierung =====
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   * Wenn Sie ein Image vorbereiten, dass Sie mit dd auf den Datenträger spielen wollen, verwenden Sie die o.a. Techniken.
-===== Beispiel für SD-Karte =====
 ===== Quelle =====